-
1
Surface plasmons at MOCVD-grown GaN
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
VolltextArtikel -
2
Structural, vibrational and electronic properties of faceted GaN (0001̄) surfaces
Veröffentlicht in Surface science
VolltextArtikel -
3
-
4
-
5
Properties of Si-Doped GaN Layers Grown by HVPE
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
VolltextArtikel -
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
-
14
-
15
A benefit-risk assessment of class III antiarrhythmic agents
Veröffentlicht in Drug safety
VolltextArtikel -
16
Longitudinal Doppler Assessments in Late Preterm Fetal Growth Restriction
Veröffentlicht in ULTRASCHALL IN DER MEDIZIN
VolltextArtikel -
17