-
1
-
2
-
3
Generation and healing of low-energy ion-induced defects on Si(100)-2 × 1
Veröffentlicht in Surface science
VolltextArtikel -
4
-
5
Anisotropic vacancy kinetics and single-domain stabilization on Si(100)-2×1
Veröffentlicht in Physical review letters
VolltextArtikel -
6
-
7
Surface doping and stabilization of Si(111) with boron
Veröffentlicht in Physical review letters
VolltextArtikel -
8
Demonstration of the tunnel-diode effect on an atomic scale
Veröffentlicht in Nature (London)
VolltextArtikel -
9
One-dimensional ordering on the Mo/Si(100) interface
Veröffentlicht in Surface science
VolltextArtikel -
10
Symmetry and stability of solitary dimer rows on Si(100)
Veröffentlicht in Physical review letters
VolltextArtikel -
11
Layer-by-layer sputtering and epitaxy of Si(100)
Veröffentlicht in Physical review letters
VolltextArtikel -
12
-
13
-
14
Modeling of Ion Implantation and Diffusion in Si
Veröffentlicht in Materials science forum
VolltextArtikel -
15
Surface reconstruction in layer-by-layer sputtering of Si(111)
Veröffentlicht in Physical review. B, Condensed matter
VolltextArtikel -
16
-
17
Ion beam enhanced epitaxial growth of Ge (001)
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
18
Simulations of layer-by-layer sputtering during epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
19
-
20