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EPR study of shallow and deep phosphorous centers in 6 H − SiC
Veröffentlicht in Physical review. B, Condensed matter
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Irradiation Induced Defects in III-V Semiconductor Compounds
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
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Radiation hardness of gallium nitride
Veröffentlicht in IEEE transactions on nuclear science
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Magnetic resonance tracking of fluorescent nanodiamond fabrication
Veröffentlicht in Journal of physics. D, Applied physics
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Structure and electrochromism of two-dimensional octahedral molecular sieve h’-WO3
Veröffentlicht in Nature communications
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Evidence for near-infrared photoluminescence of nitrogen vacancy centers in 4H-SiC
Veröffentlicht in Physical review. B
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