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Particulates: an origin of GaAs oval defects grown by molecular beam epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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A 12-dB High-Gain Monolithic Distributed Amplifier
Veröffentlicht in IEEE transactions on microwave theory and techniques
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A 2-20 GHz high-gain monolithic HEMT distributed amplifier
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Ready or not, high school graduates are going to college
Veröffentlicht in NASSP bulletin
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A 12-dB high-gain monolithic distributed amplifier
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Selective In Situ Vapor Etch and Growth of GaAs
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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A monolithic Ka-band HEMT low-noise amplifier
Veröffentlicht in IEEE transactions on microwave theory and techniques
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IIIb-1 a heterojunction high-speed GaAs/AlGaAs FET
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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