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    Influence of Optimization of Process Parameters on Threshold Voltage for Development of HfO 2 /TiSi 2 18 nm PMOS

    Influence of Optimization of Process Parameters on Threshold Voltage for Development of HfO 2 /TiSi 2 18 nm PMOS von Atan, N., Ahmad, Ibrahim, Majlis, B.Y., Azle, M.F

    Veröffentlicht in MATEC web of conferences

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