Suchergebnisse - Axelsson, Olle

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Suppression of Dispersive Effects in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Using Bilayer SiNx Grown by Low Pressure Chemical Vapor Deposition von Huang, Tongde, Malmros, Anna, Bergsten, Johan, Gustafsson, Sebastian, Axelsson, Olle, Thorsell, Mattias, Rorsman, Niklas

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Impact of AlGaN/GaN Interface and Passivation on the Robustness of Low-Noise Amplifiers von Huang, Tongde, Axelsson, Olle, Bergsten, Johan, Thorsell, Mattias, Rorsman, Niklas

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Impact of Trapping Effects on the Recovery Time of GaN Based Low Noise Amplifiers von Axelsson, Olle, Billstrom, Niklas, Rorsman, Niklas, Thorsell, Mattias

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Application Relevant Evaluation of Trapping Effects in AlGaN/GaN HEMTs With Fe-Doped Buffer von Axelsson, Olle, Gustafsson, Sebastian, Hjelmgren, Hans, Rorsman, Niklas, Blanck, Herve, Splettstoesser, Jorg, Thorpe, Jim, Roedle, Thomas, Thorsell, Mattias

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Achieving Low-Recovery Time in AlGaN/GaN HEMTs With AlN Interlayer Under Low- Noise Amplifiers Operation von Huang, Tongde, Axelsson, Olle, Bergsten, Johan, Thorsell, Mattias, Rorsman, Niklas

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Influence on Noise Performance of GaN HEMTs With In Situ and Low-Pressure-Chemical-Vapor-Deposition SiNx Passivation von Huang, Tongde, Axelsson, Olle, Do, Thanh Ngoc Thi, Thorsell, Mattias, Kuylenstierna, Dan, Rorsman, Niklas

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Influence on Noise Performance of GaN HEMTs With In Situ and Low-Pressure-Chemical-Vapor-Deposition SiN x Passivation von Huang, Tongde, Axelsson, Olle, Do, Thanh Ngoc Thi, Thorsell, Mattias, Kuylenstierna, Dan, Rorsman, Niklas

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Suppression of Dispersive Effects in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Using Bilayer SiN x Grown by Low Pressure Chemical Vapor Deposition von Huang, Tongde, Malmros, Anna, Bergsten, Johan, Gustafsson, Sebastian, Axelsson, Olle, Thorsell, Mattias, Rorsman, Niklas

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Highly Linear Gallium Nitride MMIC LNAs von Axelsson, O., Andersson, K.

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Fabrication and Characterization of Thin-Barrier Al0.5Ga0.5N/AlN/GaN HEMTs von FELBINGER, Jonathan G, FAGERLIND, Martin, AXELSSON, Olle, RORSMAN, Niklas, XIANG GAO, SHIPING GUO, SCHAFF, William J, EASTMAN, Lester F

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Fabrication and Characterization of Thin-Barrier [Formula Omitted] HEMTs von Felbinger, Jonathan G, Fagerlind, Martin, Axelsson, Olle, Rorsman, Niklas, Gao, Xiang, Guo, Shiping, Schaff, William J, Eastman, Lester F

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Fabrication and Characterization of Thin-Barrier hbox Al 0.5 hbox Ga 0.5 hbox N / AlN / GaN HEMTs von Felbinger, Jonathan G, Fagerlind, Martin, Axelsson, Olle, Rorsman, Niklas, Gao, Xiang, Guo, Shiping, Schaff, William J, Eastman, Lester F

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$Fabrication and Characterization of Thin-Barrier \hbox\hbox\hbox HEMTs$

Fabrication and Characterization of Thin-Barrier \hbox\hbox\hbox HEMTs von Felbinger, Jonathan G., Fagerlind, Martin, Axelsson, Olle, Rorsman, Niklas, Xiang Gao, Shiping Guo, Schaff, William J., Eastman, Lester F.

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REBALANCING OF UNDERWATER VEHICLES von ELIAS, Feras Faez, AXELSSON, Olle, JOHANSSON, Nicklas

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Impact of Trapping Effects on the Recovery Time of GaN Based Low Noise von Axelsson, Olle, Billström, Niklas, Rorsman, Niklas, Thorsell, Mattias

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Rebalancing of underwater vehicles von Johansson, Nicklas, Elias, Feras Faez, Axelsson, Olle

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Fabrication and Characterization of Thin-Barrier Al0.5Ga0.5N/AlN/GaN HEMTs von FELBINGER, Jonathan G, FAGERLIND, Martin, AXELSSON, Olle, RORSMAN, Niklas, XIANG GAO, SHIPING GUO, SCHAFF, William J, EASTMAN, Lester F

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Fabrication and Characterization of Thin-Barrier \hbox\hbox\hbox HEMTs von Felbinger, Jonathan G., Fagerlind, Martin, Axelsson, Olle, Rorsman, Niklas, Xiang Gao, Shiping Guo, Schaff, William J., Eastman, Lester F.

REBALANCING OF UNDERWATER VEHICLES von ELIAS, Feras Faez, AXELSSON, Olle, JOHANSSON, Nicklas

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Impact of Trapping Effects on the Recovery Time of GaN Based Low Noise von Axelsson, Olle, Billström, Niklas, Rorsman, Niklas, Thorsell, Mattias

Rebalancing of underwater vehicles von Johansson, Nicklas, Elias, Feras Faez, Axelsson, Olle

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