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Controlling plasma charge damage in advanced semiconductor manufacturing. Challenge of small feature size device, large chip size, and large wafer size
von
Aum, P.K.
,
Brandshaft, R.
,
Brandshaft, D.
,
Dao, T.B.
Veröffentlicht in
IEEE transactions on electron devices
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Non-destructive Prognosis Method Of Oxide Degradation- A Rapid Monitoring Of Oxide Energy Band Changes Cause By Semiconductor Processing
von
Aum, P.K.
,
Thuy Dao
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ULSI circuit design trend, technology road map, and test structures for process-induced damage
von
Dao, T.B.
,
Aum, P.K.
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Process induced damages from various integrated circuit interconnection designs - limitations of antenna rule under practical integrated circuit layout practice
von
Mercier, J.
,
Dao, T.
,
Flechner, H.
,
Jean, B.
,
Oscar, D.B.
,
Aum, P.K.
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5
Non-destructive prognosis method of oxide degradation: a rapid monitoring of oxide energy band changes caused by semiconductor processing
von
Aum, P.K.
,
Dao, T.B.
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