-
1
Extraction of the 4H-SiC/SiO2 Barrier Height Over Temperature
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
2
Avalanche ruggedness of parallel SiC power MOSFETs
Veröffentlicht in Microelectronics and reliability
VolltextArtikel -
3
Subthreshold Drain Current Hysteresis of Planar SiC MOSFETs
Veröffentlicht in Materials science forum
VolltextArtikel -
4
Extraction of the 4H-SiC/SiO 2 Barrier Height Over Temperature
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
5
-
6
High-Voltage SiC-JFET Fabrication and Full Characterization
Veröffentlicht in Materials science forum
VolltextArtikel -
7
-
8
Advanced Electrical Characterisation of High Voltage 4H-SiC PiN Diodes
Veröffentlicht in Materials science forum
VolltextArtikel -
9
Cryogenic to High Temperature Exploration of 4H-SiC W-SBD
Veröffentlicht in Materials science forum
VolltextArtikel -
10
Surge Driven Evolution of Schottky Barrier Height on 4H-SiC JBS Diodes
Veröffentlicht in Materials science forum
VolltextArtikel -
11
-
12
-
13
-
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
-
20