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Passivation of the GaP(111) surface by treatment in selenium vapors
Veröffentlicht in Technical physics letters
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Passivating gallium arsenide surface by gallium chalcogenide
Veröffentlicht in Technical physics letters
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MOCVD-grown broad area InGaAs/GaAs/InGaP laser diodes
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Semiconductor lasers with internal wavelength selection
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Reconstruction and electron states of a Ga2Se3-GaAs heterointerface
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Self-organizing nanoheterostructures in InGaAsP solid solutions
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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