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Annealing with Ni for ohmic contact formation on ICP-etched p-GaN
Veröffentlicht in Electronics letters
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GaN MOSFET with Boron Trichloride-Based Dry Recess Process
Veröffentlicht in Journal of physics. Conference series
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Fabrication of high performance of AlGaN/GaN-based UV light-emitting diodes
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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