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Field-assisted semiconductor photoemitters for the 1-2-µm range
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Liquidus and solidus data at 500 °C for the In-Ga-Sb system
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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LEC growth of large InP single crystals
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Liquid phase epitaxial growth of InGaAsSb on (111)B InAs
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Liquid phase epitaxial growth of InGaAs on InP
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Performance characteristics and extended lifetime data for InGaAsP/InP LED's
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Contact potential of p-Al 0.5Ga 0.5As/ n-GaAs structures
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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InGaPAs-InP double-heterojunction high-radiance LED's
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Surface irregularities due to spiral growth in LPE layers of AlGaAs and InGaAsP
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Photoemission from cesium-oxide-activated InGaAsP
Veröffentlicht in Applied physics letters
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IIIb-1 a heterojunction high-speed GaAs/AlGaAs FET
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Contact potential of p-Al0.5Ga0.5As/n-GaAs structures
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Effects of Metal Defects on Positive Ion Emission from Heated Iron Filaments
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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