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Improved buildup model for radiation-induced, defects in MOSFET isolation oxides
von
Shaker, Hesham H.
,
Saleh, A.A.
,
Amin, Mohamed Refky
,
Habib, S.E.D.
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Journal of radiation research and applied sciences
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Improved Buildup Model for Radiation-Induced Defects in MOSFET Isolation Oxides
von
Shaker, Hesham. H
,
Saleh, A. A
,
Amin, Mohamed Refky
,
Habib, S. E. D
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Improved Buildup Model for Radiation-Induced Defects in MOSFET Isolation Oxides
von
Shaker, Hesham H
,
Saleh, A A
,
Mohamed Refky Amin
,
Habib, S E D
Veröffentlicht in
arXiv.org
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