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Silicon Oxide (SiOx): A Promising Material for Resistance Switching?
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In‐Memory Eigenvector Computation in Time O(1)
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Logic Computing with Stateful Neural Networks of Resistive Switches
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Time Complexity of In-Memory Solution of Linear Systems
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Forming-Free Selectors Based on Te in an Insulating SiOx Matrix
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Forming-Free Selectors Based on Te in an Insulating SiO x Matrix
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