Suchergebnisse - Amanov, Dovran | OPAC THWS

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Magnetostatic spin-waves in an yttrium iron garnet thin film: Comparison between theory and experiment for arbitrary field directions von Lim, Jinho, Bang, Wonbae, Trossman, Jonathan, Amanov, Dovran, Tsai, C. C., Jungfleisch, Matthias B., Hoffmann, Axel, Ketterson, John B.

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Forward volume and surface magnetostatic modes in an yttrium iron garnet film for out-of-plane magnetic fields: Theory and experiment von Lim, Jinho, Bang, Wonbae, Trossman, Jonathan, Amanov, Dovran, Ketterson, John B.

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3

Vertical MoS2 Double-Layer Memristor with Electrochemical Metallization as an Atomic-Scale Synapse with Switching Thresholds Approaching 100 mV von Xu, Renjing, Jang, Houk, Lee, Min-Hyun, Amanov, Dovran, Cho, Yeonchoo, Kim, Haeryong, Park, Seongjun, Shin, Hyeon-jin, Ham, Donhee

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4

Vertical MoS 2 Double-Layer Memristor with Electrochemical Metallization as an Atomic-Scale Synapse with Switching Thresholds Approaching 100 mV von Xu, Renjing, Jang, Houk, Lee, Min-Hyun, Amanov, Dovran, Cho, Yeonchoo, Kim, Haeryong, Park, Seongjun, Shin, Hyeon-Jin, Ham, Donhee

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5

Measurements of long-wavelength spin waves for the magnetic field in the Damon-Eshbach, backward-volume and forward-volume geometries of an yttrium iron garnet film von Bang, Wonbae, Lim, Jinho, Trossman, Jonathan, Amanov, Dovran, Jungfleisch, Matthias B., Hoffmann, Axel, Ketterson, John B.

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Magnetostatic spin-waves in an yttrium iron garnet thin film: Comparison between theory and experiment for arbitrary field directions von Lim, Jinho, Bang, Wonbae, Trossman, Jonathan, Amanov, Dovran, Tsai, C. C., Jungfleisch, Matthias B., Hoffmann, Axel, Ketterson, John B.

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Forward volume and surface magnetostatic modes in an yttrium iron garnet film for out-of-plane magnetic fields: Theory and experiment von Lim, Jinho, Bang, Wonbae, Trossman, Jonathan, Amanov, Dovran, Ketterson, John B.

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Memristor and neuromorphic device comprising the same von Xu, Renjing, Amanov, Dovran, Lee, Minhyun, Kim, Haeryong, Cho, Yeonchoo, Ham, Donhee, Shin, Hyeonjin, Jang, Houk

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Memristor and neuromorphic device comprising the same von Xu, Renjing, Amanov, Dovran, Lee, Minhyun, Kim, Haeryong, Cho, Yeonchoo, Ham, Donhee, Shin, Hyeonjin, Jang, Houk

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10

MEMRISTOR AND NEUROMORPHIC DEVICE COMPRISING THE SAME von KIM, Haeryong, XU, Renjing, LEE, Minhyun, JANG, Houk, HAM, Donhee, AMANOV, Dovran, SHIN, Hyeonjin, CHO, Yeonchoo

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11

MEMRISTOR AND NEUROMORPHIC DEVICE COMPRISING THE SAME von KIM, Haeryong, XU, Renjing, LEE, Minhyun, JANG, Houk, HAM, Donhee, AMANOV, Dovran, SHIN, Hyeonjin, CHO, Yeonchoo

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12

MEMRISTOR AND NEUROMORPHIC DEVICE INCLUDING THE SAME von XU RENJING, SHIN HYEON-JIN, DOVRAN AMANOV, JANG HOUK, LEE MINHYUN, KIM HAERYONG, CHO YEONCHOO, HAM DONHEE

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13

MEMRISTOR AND NEUROMORPHIC DEVICE COMPRISING THE SAME von XU RENJING, HAM DON HEE, KIM, HAE RYONG, JANG HO UK, AMANOV DOVRAN, LEE, MIN HYUN, SHIN, HYEON JIN, CHO, YEON CHOO

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