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Leakage mechanism in ion implantation isolated AlGaN/GaN heterostructures
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Bandlike and localized states of extended defects in n-type In0.53Ga0.47As
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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ESD HBM Discharge Model in RF GaN-on-Si (MIS)HEMTs
Veröffentlicht in IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
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ESD HBM Discharge Model in RF GaN-on-Si (MIS)HEMTs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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