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Selective Area Epitaxy of GaAs/Ge/Si Nanomembranes: A Morphological Study
Veröffentlicht in Crystals (Basel)
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Critical strain for Sn incorporation into spontaneously graded Ge/GeSn core/shell nanowires
Veröffentlicht in Nanoscale
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Twofold origin of strain-induced bending in core-shell nanowires: the GaP/InGaP case
Veröffentlicht in Nanotechnology
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Kinetic Control of Morphology and Composition in Ge/GeSn Core/Shell Nanowires
Veröffentlicht in ACS nano
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Stress engineering of boron doped diamond thin films via micro-fabrication
Veröffentlicht in APL materials
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Growth and Coalescence of 3C-SiC on Si(111) Micro-Pillars by a Phase-Field Approach
Veröffentlicht in Materials
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