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    Scaling Challenges of Nanosheet Field-Effect Transistors Into Sub-2 nm Nodes

    Scaling Challenges of Nanosheet Field-Effect Transistors Into Sub-2 nm Nodes von Alabdullah, Murad G. K., Elmessary, M. A., Nagy, D., Seoane, N., Garcia-Loureiro, A. J., Kalna, K.


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