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    Direct Measurement of MOSFET Channel Strain by Means of Backside Etching and Raman Spectroscopy on Long-Channel Devices

    Direct Measurement of MOSFET Channel Strain by Means of Backside Etching and Raman Spectroscopy on Long-Channel Devices von Agaiby, Rouzet M B, Olsen, Sarah H, Eneman, Geert, Simoen, Eddy, Augendre, Emmanuel, O'Neill, Anthony G

    Veröffentlicht in IEEE electron device letters

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    Nanoscale strain characterisation for ultimate CMOS and beyond

    Nanoscale strain characterisation for ultimate CMOS and beyond von Olsen, Sarah H., Dobrosz, Peter, Agaiby, Rouzet M.B., Tsang, Yuk Lun, Alatise, Olayiwola, Bull, Stephen J., O’Neill, Anthony G., Moselund, Kirsten E., Ionescu, Adrian M., Majhi, Prashant, Buca, Dan, Mantl, Siegfried, Coulson, Howard


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