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    Application of Spin Dependent Recombination for Investigation of Point Defects in Irradiated Silicon

    Application of Spin Dependent Recombination for Investigation of Point Defects in Irradiated Silicon von Laiho, R., Vlasenko, L.S., Afanasjev, M.M., Vlasenko, M.P.

    Veröffentlicht in Materials science forum

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    Thermally activated change of symmetry of carbon related center in irradiated silicon

    Thermally activated change of symmetry of carbon related center in irradiated silicon von Afanasjev, M.M., Laiho, R., Vlasenko, L.S., Vlasenko, M.P.

    Veröffentlicht in Solid state communications

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