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Hydrogen-induced rupture of strained Si─O bonds in amorphous silicon dioxide
Veröffentlicht in Physical review letters
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Vibrational properties of epitaxial silicene layers on (111) Ag
Veröffentlicht in Applied surface science
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Electron trapping in ferroelectric HfZrO4 and Al- and Si-doped layers
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Theoretical aspects of graphene-like group IV semiconductors
Veröffentlicht in Applied surface science
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High- k dielectrics for future generation memory devices (Invited Paper)
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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