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Highly uniform GaSb quantum dots with indirect–direct bandgap crossover at telecom range
Veröffentlicht in APL materials
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Nanohole Etching in AlGaSb with Gallium Droplets
Veröffentlicht in Crystal growth & design
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GaAs surface passivation for InAs/GaAs quantum dot based nanophotonic devices
Veröffentlicht in Nanotechnology
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Strain-free GaSb quantum dots as single-photon sources in the telecom S-band
Veröffentlicht in arXiv.org
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Highly uniform GaSb quantum dots with indirect-direct bandgap crossover at telecom range
Veröffentlicht in arXiv.org
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Electronic structure of GaSb/AlGaSb quantum dots formed by filling droplet-etched nanoholes
Veröffentlicht in arXiv.org
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Telecom wavelength single-photon source based on InGaSb/AlGaSb quantum dot technology
Veröffentlicht in arXiv.org
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