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    Doping concentration effect on performance of single QW double-heterostructure InGaN/AlGaN light emitting diode

    Doping concentration effect on performance of single QW double-heterostructure InGaN/AlGaN light emitting diode von Abdul Halim, N. Syafira, Wahid, M.Halim A., Ahmad Hambali, N. Azura M., Rashid, Shanise, Shahimin, Mukhzeer M.


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    Effect of InGaN thickness on assisted trap recombination and behaviour of InGaN/AlGaN double heterostructure LED

    Effect of InGaN thickness on assisted trap recombination and behaviour of InGaN/AlGaN double heterostructure LED von Rashid, Shanise, Wahid, M.Halim A., Ahmad Hambali, N. Azura M., Abdul Halim, N.Syafira, Shahimin, Mukhzeer M.


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