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Post-metallization annealing of metal-tunnel oxide-silicon diodes
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Tunnel electron induced charge generation in very thin silicon oxide dielectrics
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Time-dependent positive charge generation in very thin silicon oxide dielectrics
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Temperature dependence confirmation of tunneling through 2–6 nm silicon dioxide
Veröffentlicht in Solid State Electronics
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The effects of HF cleaning prior to silicon wafer bonding
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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Negative charging in ultrathin metal-oxide-silicon tunnel diodes
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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The bonded unipolar silicon-silicon junction
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Electrical instability of ultrathin thermal oxides on silicon
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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Electrical characterization of bonding interfaces
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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Wafer bonding induced degradation of thermal silicon dioxide layers on silicon
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Weak fluence dependence of charge generation in ultra-thin oxides on silicon
Veröffentlicht in Applied surface science
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Electron states and microstructure of thin a-C:H layers
Veröffentlicht in Physical review. B, Condensed matter
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