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Verfahren zum Herstellen von stabfoermigen fuer die Verwendung in Halbleiteranordnungen bestimmten Halbleiterkristallen aus Bornitrid
von
WIBERG EGON DR
,
AMBERGER EBERHARDT
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Verfahren zum Herstellen von Bor mit alpha-rhomboedrischer Kristallstruktur
von
DIETZE.. WOLFGANG
,
AMBERGER.. EBERHARDT
,
WIBERG DR.. EGON
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Verfahren zum Herstellen stabförmiger Halbleiterkristalle
von
WIBERG,EGON
,
EMEIS,REINER
,
ROSENBERGER,GEORG
,
RUMMEL,THEODOR,DR
,
FISCHER,HELMUT
,
AMBERGER,EBERHARDT
,
NAT. REUSCHEL,KONRAD,PHIL
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Patent
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Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Stoffe, vorzugsweise Leiter oder Halbleiter
von
FRIEDRICH BISCHOFF
,
HABIL. THEODOR RUMMEL
,
EGON WIBERG
,
EBERHARDT AMBERGER
,
PHIL. JUERG JOHANNESSON
,
HANS FRIEDRICH QUAST
,
PHIL. GUSTAV WAGNER
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Patent
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Schlagworte
Chemistry
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Metallurgy
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After-Treatment Of Single Crystals Or A Homogeneouspolycrystalline Material With Defined Structure
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Apparatus Therefor
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Crystal Growth
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Production Of A Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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Refining By Zone-Melting Of Material
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Single Crystals Or Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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Single-Crystal-Growth
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Unidirectional Solidification Of Eutectic Material Orunidirectional Demixing Of Eutectoid Material
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Basic Electric Elements
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Compounds Thereof
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Electric Solid State Devices Not Otherwise Provided For
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Electricity
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General Tagging Of Cross-Sectional Technologies Spanning Over Several Sections Of The Ipc
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General Tagging Of New Technological Developments
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Inorganic Chemistry
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Non-Metallic Elements
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Semiconductor Devices
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Technical Subjects Covered By Former Us Classification
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Erscheinungsjahr
Von:
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Quelle
Esp@Cenet
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