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Status and Direction of Communication Technologies - SiGe BiCMOS and RFCMOS
Veröffentlicht in Proceedings of the IEEE
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Proton tolerance of fourth-generation 350 GHz UHV/CVD SiGe HBTs
Veröffentlicht in IEEE transactions on nuclear science
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Dynamic models of the AIDS epidemic
Veröffentlicht in Simulation (San Diego, Calif.)
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A 4.2-ps ECL ring-oscillator in a 285-GHz f sub(MAX) SiGe technology
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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