多接合太陽電池の高効率化にむけた歪み補償量子井戸超格子(<特集>ナノ・ヘテロ構造を利用した太陽電池) von 杉山, 正和, 藤井, 宏昌, トープラサートポン, カシディット, ソダーバンル, ハッサネット, 王, 云鵬, 渡辺, 健太郎, 中野, 義昭

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招待講演 ソースフォロワ読み出しおよびチャージシェアリングにより積和演算を行う電圧センス型FeFET CiM von 松井 千尋, トープラサートポン カシディット, 高木 信一, 竹内 健

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ラフネスを有するチャネルにおける2 次元電子ガスの基底状態の新たな定式化と表面ラフネス散乱移動度への影響 von 隅田, 圭, トープラサートポン, カシディット, 竹中, 充, 高木, 信一

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Hf0.5Zr0.5O2 FeFETを用いたMOS型光位相シフタの不揮発性動作 von 渡辺, 耕坪, トープラサートポン, カシディット, 高木, 信一, 竹中, 充

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プログラマブル光ユニタリ回路のロバストな最適化 von 唐, 睿, 湯, 涵智, トープラサートポン, カシディット, 高木, 信一, 竹中, 充

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Siストリップ導波路を用いた非対称方向性結合器による波長依存性低減の検討 von 宮武, 悠人, トープラサートポン, カシディット, 高木, 信一, 竹中, 充

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ソースフォロワ読み出し・チャージシェアリングにより積和演算を行うFeFET Computation-in-Memory (CiM) von 松井, 千尋, トープラサートポン, カシディット, 高木, 信一, 竹内, 健

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Hf0.5Zr0.5O2強誘電体膜の薄膜化と低温プロセス化の両立の検討 von 田原, 建人, トープラサートポン, カシディット, 竹中, 充, 高木, 信一

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InAs/Ni-InAs間のコンタクト抵抗率とその評価法に関する実験的検討 von 竹安, 淳, 隅田, 圭, トープラサートポン, カシディット, 竹中, 充, 高木, 信一

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リング共振器クロスバーアレイによる誤差逆伝播法の検証 von 大野, 修平, トープラサートポン, カシディット, 高木, 信一, 竹中, 充

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III-V-OI 基板上における量子井戸インターミキシング量拡大による導波損失の低減 von 関根, 尚希, トープラサートポン, カシディット, 高木, 信一, 竹中, 充

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強誘電体FETのMOS界面における電荷分布の評価とデバイス動作の理解 von トープラサートポン, カシディット, 竹中, 充, 高木, 信一

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招待講演 Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響 von トープラサートポン カシディット, 林 早阳, 李 宗恩, 竹中 充, 高木 信一

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強誘電体デバイスを用いたリザバーコンピューティング von 高木, 信一, トープラサートポン, カシディット, 名幸, 瑛心, ワン, ゼユ, 竹中, 充, 中根, 了昌

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強誘電体HfxZr1-xO2の極薄膜化による低電圧保持特性と書換回数の向上 von トープラサートポン, カシディット, 田原, 建人, 彦坂, 幸信, 中村, 亘, 齋藤, 仁, 竹中, 充, 高木, 信一

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FeFETの電気特性劣化がリザバーコンピューティングにもたらす影響 von 名幸, 瑛心, ｶｼﾃﾞｨｯﾄ, ﾄｰﾌﾟﾗｻｰﾄﾎﾟﾝ, 王, 澤宇, 中根, 了昌, 竹中, 充, 高木, 信一

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Si強誘電体FETにおける強誘電分極に誘起される反転層電荷の振る舞い von トープラサートポン, カシディット, 林, 早阳, 李, 宗恩, 竹中, 充, 高木, 信一

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HfO2系FeFETにおける結晶化アニール温度とSi界面特性のトレードオフ von トープラサートポン, カシディット, 田原, 建人, 福井, 太一郎, 林, 早阳, 渡辺, 耕坪, 竹中, 充, 高木, 信一

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(111)面チャネルの薄膜化によるInAs-OI nMOSFETのサブバンド制御手法の提案と極薄膜(111) InAs-OI基板の実現 von 隅田, 圭, 吉津, 遼平, トープラサートポン, カシディット, 竹中, 充, 高木, 信一

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(111) InAs-OI nMOSFETのチャネル薄膜化による移動度向上の実現と伝導帯内の界面準位の実験的評価 von 隅田, 圭, 吉津, 遼平, トープラサートポン, カシディット, 竹中, 充, 高木, 信一

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