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Schottky Barrier Tunnel Field-Effect Transistor using Spacer Technique
von
김현우
,
김정필
,
김상완
,
선민철
,
김가람
,
김장현
,
박의환
,
김형진
,
박병국
Veröffentlicht in
Journal of semiconductor technology and science
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VT-Modulation of Planar Tunnel Field-Effect Transistors with Ground-Plane under Ultrathin Body and Bottom Oxide
von
Min-Chul Sun
,
Hyun Woo Kim
,
Hyungjin Kim
,
Sang Wan Kim
,
Garam Kim
,
Jong-Ho Lee
,
Hyungcheol Shin
,
Byung-Gook Park
Veröffentlicht in
Journal of semiconductor technology and science
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Investigation on Suppression of Nickel-Silicide Formation By Fluorocarbon Reactive Ion Etch (RIE) and Plasma-Enhanced Deposition
von
Kim, Hyun Woo
,
Sun, Min-Chul
,
Lee, Jung Han
,
Park, Byung-Gook
Veröffentlicht in
Journal of semiconductor technology and science
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Zeitschriftentitel
Journal Of Semiconductor Technology And Science
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전기공학
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Physics, Applied
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Science & Technology
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Technology
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Nickel Silicide
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Plasma-Enhanced Deposition
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Reactive Ion Etch
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Sidewall Spacer
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Tcad Simulation
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Threshold Voltage
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Tunnel Field-Effect Transistor
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Ultrathin Body And Bottom Oxide
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Von:
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과학기술학회
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Koreascience
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Ezb-Free-00999 Freely Available Ezb Journals
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