MIESによる酸素吸着したCs/6H-SiC(0001)表面の電子状態観測 von 中村, 拓人, 平山, 楓, 村岡, 幸輔, 石井, 純子, 黒木, 伸一郎, 田中, 悟, 内藤, 正路, 碇, 智徳

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Cl2/HBr/O2プラズマを用いた4H-SiC高選択比RIEの評価 von 竹内, 陸, 佐藤, 旦, 黒木, 伸一郎

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SOI-Si/4H-SiCハイブリッドイメージセンサにおけるPD構造の検討 von 堤, 将之, 目黒, 達也, 河村, 和也, 大島, 武, 田中, 保宣, 黒木, 伸一郎

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耐放射線性炭化ケイ素半導体デバイスの開発 von 大島, 武, 武山, 昭憲, 牧野, 高紘, 黒木, 伸一郎, 田中, 保宣

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サブバンドギャップ光を用いたガンマ線照射4H-SiC JFETのキャラクタリゼーション von 武山, 昭憲, 牧野, 高紘, 大島, 武, 黒木, 伸一郎, 田中, 保宣

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フル4H-SiC画素デバイスの紫外線照射下動作特性 von 黒木, 伸一郎, 西垣内, 健汰, 目黒, 達也, 武山, 昭憲, 大島, 武, 田中, 保宣

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Vドープ4H-SiC単結晶薄膜の半絶縁性に対する不純物の影響 von 児島, 一聡, 佐藤, 真一郎, 大島, 武, 黒木, 伸一郎, 山口, 浩

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耐放射線CMOSイメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiCハイブリッド画素素子の出力特性 von 目黒, 達也, 堤, 将之, 武山, 昭憲, 大島, 武, 田中, 保宣, 黒木, 伸一郎

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SiO2膜を介したSOI基板と4H-SiC基板の直接接合の検討 von 河村, 和哉, 目黒, 達也, 堤, 将之, 大島, 武, 田中, 保宣, 黒木, 伸一郎

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ドライエッチにより形成された4H-SiC 三次元構造のラフネス低減加工 von 佐藤, 旦, 竹内, 陸, 志摩, 拓真, ヴォーン, ヴァン クォン, 黒木, 伸一郎

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SiC表面におけるH2Pc分子の吸着形態の観察 von 江本, 暁, 河村, 和哉, 黒木, 伸一郎, 内藤, 正路, 碇, 智徳

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耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC画素集積化プロセス von 目黒, 達也, 長谷部, 史明, 武山, 昭憲, 大島, 武, 田中, 保宣, 黒木, 伸一郎

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耐放射線UVイメージセンサのためのフル4H-SiC画素デバイス von 西垣内, 健汰, 目黒, 達也, 武山, 昭憲, 大島, 武, 田中, 保宣, 黒木, 伸一郎

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裏面照射型近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上単結晶GeSnフォトダイオードアレイの開発 von 岡 博史, 井上 慶太郎, Thi Thuy Nguyen, 黒木 伸一郎, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

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ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線照射効果 von 武山, 昭憲, 清水, 奎吾, 牧野, 高紘, 山﨑, 雄一, 大島, 武, 黒木, 伸一郎, 田中, 保宣

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4H-SiC CMOS論理回路作製に向けたBOSCHプロセスによるSiCディープエッチング von 森本, 剣偲郎, 村岡, 幸輔, 児島, 一聡, 黒木, 伸一郎

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イオン注入角制御による4H-SiC基板へのイオン注入高精度化 von 岡田, 智徳, 井上, 純, 西山, 文隆, 瀬崎, 洋, 黒木, 伸一郎

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Multi-Line-Beam CLC poly-Si TFTsにおけるチャネルへの不純物導入効果 von 平岩, 弘之, グエン, ティ トゥイ, 黒木, 伸一郎

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SOI-Si/4H-SiC基板貼り合わせを用いた耐放射線画素デバイスの検討 von 目黒, 達也, 長谷部, 史明, 牧野, 高紘, 大島, 武, 田中, 保宣, 黒木, 伸一郎

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SOI-Si/4H-SiCの直接貼り合わせとフォトダイオード形成 von 長谷部, 史明, 目黒, 達也, 牧野, 高紘, 大島, 武, 田中, 保宣, 黒木, 伸一郎

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