同胞間で発症し，水頭症と脊髄空洞症を合併した後頭部脳瘤の1例：同胞間発症と水頭症併発の機序 von 黒木, 伸一, 大吉, 達樹, 比嘉, 那優大, 佐藤, 雅紀, 駒柵, 宗一郎, 時村, 洋, 吉本, 幸司, 花谷, 亮典

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巨大静脈瘤を伴ったpial arteriovenous fistulaに対し複合治療を行った1例 von THAPA, Shanta, 田中, 俊一, 米永, 理法, 黒木, 伸一, 永野, 祐志, 樋渡, 貴昭, 北薗, 育美, 菅田, 真生, 山畑, 仁志, 吉本, 幸司

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P4-5. 同胞間で発症し, 水頭症と脊髄空洞症を合併したキアリ3型を伴う巨大後頭部脳瘤の1例 ～同胞間発症と水頭症併発のメカニズムについて... von 黒木伸一, 佐藤雅紀, 比嘉那優大, 駒柵宗一郎, 大吉達樹, 時村洋, 吉本幸司

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O11-1. 乳幼児でのBactisealシャントカテーテルの使用経験 von 比嘉那優大, 大吉達樹, 駒柵宗一郎, 黒木伸一, 時村洋, 吉本幸司

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O10-2. Chiari malformation type 3とSyringomyeliaを伴ったLarge occipital meningo-encephaloceleの一例 von 大吉達樹, 佐藤雅紀, 比嘉那優大, 駒柵宗一郎, 黒木伸一, 時村洋, 吉本幸司

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MIESによる酸素吸着したCs/6H-SiC(0001)表面の電子状態観測 von 中村, 拓人, 平山, 楓, 村岡, 幸輔, 石井, 純子, 黒木, 伸一郎, 田中, 悟, 内藤, 正路, 碇, 智徳

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裏面照射型近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上単結晶GeSnフォトダイオードアレイの開発 von 岡 博史, 井上 慶太郎, Thi Thuy Nguyen, 黒木 伸一郎, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司

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Cl2/HBr/O2プラズマを用いた4H-SiC高選択比RIEの評価 von 竹内, 陸, 佐藤, 旦, 黒木, 伸一郎

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サブバンドギャップ光を用いたガンマ線照射4H-SiC JFETのキャラクタリゼーション von 武山, 昭憲, 牧野, 高紘, 大島, 武, 黒木, 伸一郎, 田中, 保宣

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フル4H-SiC画素デバイスの紫外線照射下動作特性 von 黒木, 伸一郎, 西垣内, 健汰, 目黒, 達也, 武山, 昭憲, 大島, 武, 田中, 保宣

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耐放射線CMOSイメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiCハイブリッド画素素子の出力特性 von 目黒, 達也, 堤, 将之, 武山, 昭憲, 大島, 武, 田中, 保宣, 黒木, 伸一郎

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SOI-Si/4H-SiCハイブリッドイメージセンサにおけるPD構造の検討 von 堤, 将之, 目黒, 達也, 河村, 和也, 大島, 武, 田中, 保宣, 黒木, 伸一郎

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ドライエッチにより形成された4H-SiC 三次元構造のラフネス低減加工 von 佐藤, 旦, 竹内, 陸, 志摩, 拓真, ヴォーン, ヴァン クォン, 黒木, 伸一郎

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Vドープ4H-SiC単結晶薄膜の半絶縁性に対する不純物の影響 von 児島, 一聡, 佐藤, 真一郎, 大島, 武, 黒木, 伸一郎, 山口, 浩

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耐放射線性炭化ケイ素半導体デバイスの開発 von 大島, 武, 武山, 昭憲, 牧野, 高紘, 黒木, 伸一郎, 田中, 保宣

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SiO2膜を介したSOI基板と4H-SiC基板の直接接合の検討 von 河村, 和哉, 目黒, 達也, 堤, 将之, 大島, 武, 田中, 保宣, 黒木, 伸一郎

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SiC表面におけるH2Pc分子の吸着形態の観察 von 江本, 暁, 河村, 和哉, 黒木, 伸一郎, 内藤, 正路, 碇, 智徳

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耐放射線UVイメージセンサのためのフル4H-SiC画素デバイス von 西垣内, 健汰, 目黒, 達也, 武山, 昭憲, 大島, 武, 田中, 保宣, 黒木, 伸一郎

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耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC画素集積化プロセス von 目黒, 達也, 長谷部, 史明, 武山, 昭憲, 大島, 武, 田中, 保宣, 黒木, 伸一郎

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ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線照射効果 von 武山, 昭憲, 清水, 奎吾, 牧野, 高紘, 山﨑, 雄一, 大島, 武, 黒木, 伸一郎, 田中, 保宣

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