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    High-performance germanium n＋/p junction by nickel-induced dopant activation of implanted phosphorus at low temperature

    High-performance germanium n＋/p junction by nickel-induced dopant activation of implanted phosphorus at low temperature von 黄巍 陆超 余珏 魏江镔 陈超文 汪建元 徐剑芳 王尘 李成 陈松岩 刘春莉 赖虹凯

    Veröffentlicht in Chinese physics B

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