ITO加熱堆積によるp-BaSi2/n-Siヘテロ接合太陽電池特性への効果 von 杉山, 稜汰, 高部, 涼太, 都甲, 薫, 末益, 崇

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Ba/Siフラックス比を変えて作製したSi(111)基板上undoped n-BaSi2エピタキシャル膜の評価 von 高部, 涼太, 谷内, 卓, 都甲, 薫, 末益, 崇

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Ba/Siフラックス比がundoped BaSi2 膜の電気特性に与える効果 von 高部, 涼太, Tianguo, Deng, 小玉, 小桃, 山下, 雄大, 都甲, 薫, 末益, 崇

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大気暴露時間およびa-Siキャップ層の膜厚がp-BaSi2/n-Siヘテロ太陽電池性能に与える効果 von 高部, 涼太, 谷内, 卓, 都甲, 薫, 末益, 崇

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a-Si層挿入による表面電極/BaSi2間の接触抵抗低減 von 谷内, 卓, 武内, 大樹, 高部, 涼太, 都甲, 薫, 末益, 崇

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PAMBEによるSi(111)基板上のBa(Si,C)2の成長 von JAEJUN, LEE, 武内, 大樹, 高部, 涼太, 都甲, 薫, 末益, 崇

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n-BaSi2エピタキシャル膜表面におけるパッシベーションと欠陥準位の関係 von 武藏, 湧貴, 高部, 涼太, 都甲, 薫, 末益, 崇

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硬X 線光電子分光法によるa-Si/BaSi2のバンドアライメント測定 von 高部, 涼太, 武内, 大樹, Weijie, Du, 伊藤, 啓太, 都甲, 薫, 上田, 茂典, 木村, 昭夫, 末益, 崇

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MBE法で形成したBaSi２エピタキシャル膜/酸化膜界面の欠陥準位評価 von 武内, 大樹, Weijie, Du, 高部, 涼太, 都甲, 薫, 原, 康祐, 宇佐美, 徳隆, 末益, 崇

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固相成長テンプレートを用いたGe(111)基板上へのBaSi2 膜作製 von 高部, 涼太, 原, 康祐, 都甲, 薫, 宇佐美, 徳隆, 末益, 崇

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Bドープp型BaSi2の活性化率向上及び電気的特性評価 von 章, 寧, 武内, 大樹, 高部, 涼太, 馬場, 正和, 塚原, 大地, 都甲, 薫, 末益, 崇

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BaSi2エピタキシャル膜におけるPの拡散係数評価 von 章, 寧, 馬場, 正和, 小池, 信太郎, 高部, 涼太, 都甲, 薫, 末益, 崇

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アンドープn型BaSi2エピタキシャル膜少数キャリア寿命の結晶粒径依存 von 高部, 涼太, 原, 康祐, 馬場, 正和, 都甲, 薫, 宇佐美, 徳隆, 末益, 崇

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DLTS法によるアンドープn-BaSi2エピタキシャル膜中の欠陥準位評価 von 武内, 大樹, 馬場, 正和, 高部, 涼太, 都甲, 薫, 末益, 崇

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BaSi2エピタキシャル膜におけるV族不純物(Sb,As)の拡散係数評価 von 章, 寧, 中村, 航太郎, 馬場, 正和, 小池, 信太郎, 高部, 涼太, 都甲, 薫, 末益, 崇

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Si(001)基板上に形成したトンネル接合上BaSi2膜のエピタキシャル成長と分光感度特性の評価 von 小池, 信太郎, 馬場, 正和, 杜, 偉傑, 高部, 涼太, 章, 寧, 都甲, 薫, 末益, 崇

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BaSi2エピタキシャル膜におけるⅤ族元素拡散係数の評価 von 章, 寧, 中村, 航太郎, 馬場, 正和, 小池, 信太郎, 高部, 涼太, 都甲, 薫, 末益, 崇

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MBE法によるn型伝導P-doped BaSi2 膜の作製と評価 von 高部, 涼太, 馬場, 正和, 中村, 航太郎, 小池, 信太郎, 都甲, 薫, 原, 康祐, 宇佐美, 徳隆, 末益, 崇

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Fabrication of BaSi2 films on Ge(111) using solid phase epitaxy templates von Takabe, Ryota, Hara, Kosuke, Toko, Kaoru, Usami, Noritaka, Suemasu, Takashi

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Ge(110)基板上SrGe2薄膜の電気的特性に与える成長温度の影響 von 今城, 利文, 都甲, 薫, 髙部, 涼太, 末益, 崇

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