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    A threshold voltage analytical model for high-k gate dielectric MOSFETs with fully overlapped lightly doped drain structures

    A threshold voltage analytical model for high-k gate dielectric MOSFETs with fully overlapped lightly doped drain structures von 马飞 刘红侠 匡潜玮 樊继斌

    Veröffentlicht in Chinese physics B

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    The influence and explanation of fringing-induced barrier lowering on sub-100 nm MOSFETs with high-k gate dielectrics

    The influence and explanation of fringing-induced barrier lowering on sub-100 nm MOSFETs with high-k gate dielectrics von 马飞 刘红侠 匡潜玮 樊继斌

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