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70-nm-gated InAIN/GaN HEMTs grown on SiC substrate with fT/fmax 〉 160 GHz
Veröffentlicht in 半导体学报:英文版
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A high performance InAIN/GaN HEMT with low Ron and gate leakage
Veröffentlicht in 半导体学报:英文版
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Excellent-Performance A1GaN/GaN Fin-MOSHEMTs with Self-Aligned A1203 Gate Dielectric
Veröffentlicht in 中国物理快报:英文版
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