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    Growth mechanism of atomic-layer-deposited TiAIC metal gate based on TiCI4 and TMA precursors

    Growth mechanism of atomic-layer-deposited TiAIC metal gate based on TiCI4 and TMA precursors von 项金娟 丁玉强 杜立永 李俊峰 王文武 赵超

    Veröffentlicht in 中国物理B：英文版

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