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Avalanche behavior of power MOSFETs under different temperature conditions
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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A total dose radiation model for deep submicron PDSOI NMOS
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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PDSOI DTMOS for analog and RF application
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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Analysis and optimization of current sensing circuit for deep sub-micron SRAM
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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Effect of cryogenic temperature characteristics on 0.18-μm silicon-on-insulator devices
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Characteristics of HfO2/Hf-based bipolar resistive memories
Veröffentlicht in 半导体学报:英文版
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Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance
Veröffentlicht in Chinese physics B
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The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO2-Si3N4 films
Veröffentlicht in 中国物理B:英文版
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Large energy-loss straggling of swift heavy ions in ultra-thin active silicon layers
Veröffentlicht in Chinese physics B
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