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    Improved adhesion and interface ohmic contact on n-type 4H-SiC substrate by using Ni/Ti/Ni

    Improved adhesion and interface ohmic contact on n-type 4H-SiC substrate by using Ni/Ti/Ni von 韩林超 申华军 刘可安 王弋宇 汤益丹 白云 许恒宇 吴煜东 刘新宇

    Veröffentlicht in Journal of semiconductors

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