ALDプロセス開発の課題とデータサイエンスへの期待 von 霜垣, 幸浩

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次世代高信頼性配線形成を目指したCo-ALDプロセスの検討 von 山口, 潤, 出浦, 桃子, 百瀬, 健, 霜垣, 幸浩

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Si基板上の窒化物半導体層の内部応力に対するボイド形状の影響 von 奥, 友則, 百瀬, 健, 霜垣, 幸浩, 出浦, 桃子

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Si基板上GaN成長における結晶方位回転成長領域とピット生成の関係 von 岡本, 和也, 出浦, 桃子, 依田, 孝, 高橋, 英志, 宮野, 清孝, 津久井, 雅之, 百瀬, 健, 杉山, 正和, 霜垣, 幸浩

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Si基板上GaN成長におけるピットの方位と出現面の解析 von 岡本, 和也, 出浦, 桃子, 依田, 孝, 高橋, 英志, 宮野, 清孝, 津久井, 雅之, 百瀬, 健, 杉山, 正和, 霜垣, 幸浩

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3Dプリンティングと超臨界流体薄膜堆積法による金属コーティングで作製したテラヘルツハイパスフィルターの応答特性評価 von 小西, 邦昭, 添田, 建太朗, 安河内, 裕之, 趙, ユウ, 森下, 広隆, 下山, 裕介, 霜垣, 幸浩, 百瀬, 健, 湯本, 潤司, 五神, 真

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3Dプリンティングと超臨界流体薄膜堆積法による金属コーティングを活用した3次元テラヘルツデバイス作製 von 趙, ユウ, 森下, 広隆, 小西, 邦昭, 安河内, 裕之, 添田, 建太郎, 湯本, 潤司, 五神, 真, 下山, 裕介, 霜垣, 幸浩, 百瀬, 健

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ULSI-Cu配線の信頼性向上に向けた極薄PVD-Co(W)単層バリア/ライナーの特性評価 von 金, 泰雄, 百瀬, 健, 松尾, 明, 清野, 拓哉, 霜垣, 幸浩

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Si基板上GaN成長におけるAlN中間層を用いた応力制御メカニズム von 中原, 拓也, 鈴木, 道洋, 出浦, 桃子, 百瀬, 健, 杉山, 正和, 中野, 義昭, 霜垣, 幸浩

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新しいRu-CVD/ALD原料を利用した次世代DRAMキャパシタ用電極形成プロセスの開発(2) von 百瀬, 健, 霜垣, 幸浩

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Zコントラスト法による化合物半導体ヘテロ界面急峻性評価 von 中野, 貴之, 杉山, 正和, 阿部, 英司, 霜垣, 幸浩, 中野, 義昭

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ALD-Co(W)バリヤ膜上に形成したCVD-Cu膜の密着性と初期核発生 von 嶋, 紘平, 清水, 秀治, 百瀬, 健, 霜垣, 幸浩

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低温PLを利用したInGaNにおけるIn分布の製膜条件依存性 von 鈴木, 雄大, 百瀬, 健, 寺本, 喬, 藤井, 克司, 杉山, 正和, 霜垣, 幸浩

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超臨界流体を利用した高誘電体薄膜キャパシタ作製プロセスの開発 von 渡邊, 圭, 吹田, 悟史, 百瀬, 健, 霜垣, 幸浩

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25aD01 薄膜初期堆積過程におけるCVD成長モード(ナノ粒子・ナノ構造(1),第34回結晶成長国内会議) von 梶川, 裕矢, 津村, 猛, 土屋, 俊博, 野田, 優, 霜垣, 幸浩, 小宮山, 宏

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ホットワイヤーALD法による高品質コバルト薄膜の製膜 von 清水, 秀治, 迫田, 薫, 霜垣, 幸浩

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CVD法および新規ALD法によるコバルト合金膜を用いた新規バリア膜の検討 von 清水, 秀治, 迫田, 薫, 霜垣, 幸浩

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超臨界流体製膜における下地選択性の制御と高段差被覆性達成の指針 von 百瀬, 健, 近藤, 愛子, 杉山, 正和, 霜垣, 幸浩

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高アスペクト比垂直ナノギャップを用いた高圧対応MEMSピラニーゲージ von 久保田, 雅則, 三田, 吉郎, 百瀬, 健, 近藤, 愛子, 霜垣, 幸浩, 中野, 義昭, 杉山, 正和

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高アスペクト比トレンチ構造を用いた超臨界流体製膜法による高密度3次元キャパシタの作製 von 百瀬, 健, 山田, 英雄, 北村, 康宏, 浅海, 一志, 霜垣, 幸浩, 杉山, 正和

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