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    应用一种新T形栅版图设计方法的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

    应用一种新T形栅版图设计方法的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 von 陈志刚 张杨 罗卫军 张仁平 杨富华 王晓亮 李晋闽

    Veröffentlicht in Journal of semiconductors

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