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    Improvement of characteristics of an InGaN light-emitting diode by using a staggered AIGaN electron-blocking layer

    Improvement of characteristics of an InGaN light-emitting diode by using a staggered AIGaN electron-blocking layer von 陈峻 范广涵 张运炎

    Veröffentlicht in 中国物理B：英文版

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    Performance improvement of InGaN blue light-emitting diodes with several kinds of electron-blocking layers

    Performance improvement of InGaN blue light-emitting diodes with several kinds of electron-blocking layers von 陈峻 范广涵 张运炎 庞玮 郑树文 姚光锐

    Veröffentlicht in Chinese physics B

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