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The effects of InGaN layer thickness on the performance of InGaN/GaN p-i-n solar cells
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Suppression of electron and hole overflow in GaN-based near-ultraviolet laser diodes
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Impact of GaN transition layers in the growth of GaN epitaxial layer on silicon
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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