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    Experimental and simulation studies of single-event transient in partially depleted SOI MOSFET

    Experimental and simulation studies of single-event transient in partially depleted SOI MOSFET von 闫薇薇 高林春 李晓静 赵发展 曾传滨 罗家俊 韩郑生

    Veröffentlicht in Chinese physics B

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