58例小细胞癌与鳞癌复合型肺癌的临床分析 von 罗扬 门玉 惠周光 李峻岭 郝学志 邢镨元

Volltext

非小细胞肺癌脑转移高危因素研究进展 von 孙爽, 门玉, 惠周光

Volltext

Investigation of solids segregation of binary mixtures in a rotating drum at various Froude numbers von 何玉荣 门玉宾 刘元春 刘文铁

Volltext

利用VBA编程搭建赛事自动计分系统 von 门飒玉

Volltext

A W-band two-stage cascode amplifier with gain of 25.7 dB von 钟英辉 张玉明 张义门 曹玉雄 姚鸿飞 王显泰 吕红亮 刘新宇 金智

Volltext

Experimental study on durability fracture behavior and vibration modal sweep for vehicle rear axle von 门玉琢 于海波 霍娜

Volltext

Numerical Analysis of Tensile Bifurcation Phenomenon of a Film Bonded to a Substrate von 门玉涛 王世斌 李林安

Volltext

智能化网络运维管理平台的研究与实现 von 门珮玉

Volltext

软交换技术在通信工程中的应用及发展方向 von 门珮玉

Volltext

CLINICAL OBSERVATION ON ACUPUNCTURE TRETMENT OF UROSCHESIS von 门玉华

Volltext

Interfacial and electrical characteristics of a HfO2/n–InAlAs MOS-capacitor with different dielectric thicknesses von 关赫 吕红亮 郭辉 张义门 张玉明 武利翻

Volltext

Effect of NO annealing on charge traps in oxide insulator and transition layer for 4H-SiC metal–oxide–semiconductor devices von 贾一凡 吕红亮 钮应喜 李玲 宋庆文 汤晓燕 李诚瞻 赵艳黎 肖莉 王梁永 唐光明 张义门 张玉明

Volltext

4H-SiC Schottky barrier diodes with semi-insulating polycrystaUine silicon field plate termination von 袁昊 汤晓燕 张义门 张玉明 宋庆文 杨霏 吴昊

Volltext

Fabrications and characterizations of high performance 1.2 kV, 3.3 kV, and 5.0 kV class 4H-SiC power SBDs von 宋庆文 汤晓燕 袁昊 王悦湖 张艺蒙 郭辉 贾仁需 吕红亮 张义门 张玉明

Volltext

Fabrication and characterization of the normally,off N-channel lateral 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors von 宋庆文 汤晓燕 何艳静 唐冠男 王悦湖 张艺蒙 郭辉 贾仁需 吕红亮 张义门 张玉明

Volltext

Characterization of ion-implanted 4H-SiC Schottky barrier diodes von 王守国 张岩 张义门 张玉明

Volltext

Parameter analysis for gate metal-oxide-semiconductor structures of ion-implanted 4H silicon carbide metal-semiconductor field-effect transistors von 王守国 张义门 张玉明

Volltext

Ohmic contacts of 4H-SiC on ion-implantation layers von 王守国 张岩 张义门 张玉明

Volltext

SiC epitaxial layers grown by chemical vapour deposition and the fabrication of Schottky barrier diodes von 王悦湖 张义门 张玉明 张林 贾仁需 陈达

Volltext

Deep level defects in unintentionally doped 4H-SiC homoepitaxial layer von 贾仁需 张义门 张玉明 王悦湖 张林

Volltext