Si基板上n型GaN層における移動度とキャリア濃度依存性 von 浜田, 武明, 間瀬, 駿, 江川, 孝志

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Si基板上縦型GaN p-nダイオードにおける電気的特性のSLSバッファ層膜厚依存性 von 中村, 圭輔, 浜田, 武明, 間瀬, 駿, 江川, 孝志

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Si基板上縦型GaN p-nダイオードの試作 von 間瀬, 駿, 浦山, 雄也, 浜田, 武明, 江川, 孝志

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GaN基板上GaNショットキーダイオードにおける転位と深い準位の関連性評価 von 間瀬, 駿, 浦山, 雄也, 江川, 孝志

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Si基板上GaN縦型デバイスにおける電気特性のドリフト層成長時のV/Ⅲ比依存性 von 浜田, 武明, 浦山, 雄也, 間瀬, 駿, 中村, 圭輔, 江川, 孝志

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独立に電圧印加可能なField Plateを有するAlGaN/GaN HEMTのパルスI-V特性 von 間瀬, 駿, 江川, 孝志, 分島, 彰男

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Overlaid Field PlateによるAlGaN/GaN HEMTのドレインI-V特性改善 von 間瀬, 駿, 江川, 孝志, 分島, 彰男

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独立印加型Field Plate電極を用いたGaN系HEMTの過渡特性解析 von 間瀬, 駿, 分島, 彰男, 江川, 孝志

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透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いたゲート電極直下でのEL発光観察 von 成田, 知隆, 間瀬, 駿, 分島, 彰男, 江川, 孝志

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