La oxide界面層を用いたInGaAsゲートスタックの電気特性の改善 von 張, 志宇, 市川, 磨, 長田, 剛規, 山田, 永, 竹中, 充, 高木, 信一

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プラズマ後窒化によるHfO2/Al2O3/SiGeゲートスタックのEOTスケーリングに関する検討 von 韓, 在勲, 張, 睿, 長田, 剛規, 畑, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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歪SiGe光変調器に向けたSi/SiGe/Siコア光導波路の作製 von 金, 栄現, 長田, 剛規, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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プラズマ後窒化SiGe MOS界面の特性評価 von 韓, 在勲, 張, 睿, 長田, 剛規, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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酸化濃縮基板へのSb ドーピングにより作製した極薄膜Ge-on-Insulator nMOSFETs von 金, 佑彊, 忻, 宇飛, 金, 栄現, 金, 相賢, 長田, 剛規, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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HfO2成膜前アニールにより形成したGaOxパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFETの電子移動度向上 von 小田, 穣, 入沢, 寿史, 上牟田, 雄一, 前田, 辰郎, 市川, 磨, 石原, 敏雄, 長田, 剛規, 手塚, 勉

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酸化濃縮法Ge-On-Insulator層の薄膜化がMOS界面正孔移動度に与える効果 von 忻, 宇飛, 金, 栄現, 長田, 剛規, 秦, 雅彦, 横山, 正史, 竹中, 充, 高木, 信一

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スピンオングラス法によるZn拡散を用いたプレーナ型InGaAs TFETの動作実証 von 野口, 宗隆, 金, 相賢, 横山, 正史, 市川, 磨, 長田, 剛規, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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極薄膜InxGa1-xAs-OI MOSFETの電子移動度に与える膜厚揺らぎ散乱の影響 von 金, 相賢, 横山, 正文, 田岡, 紀之, 中根, 了昌, 長田, 剛規, 市川, 磨, 福原, 昇, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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300 mmシリコンウエハー上へのエピタキシャルリフトオフ法によるIII-V/Ge高移動度チャネル材料転写技術 von 三枝, 栄子, 前田, 辰郎, 宮田, 典幸, 安田, 哲二, 前田, 敦彦, 倉島, 優一, 高木, 秀樹, 青木, 健志, 山本, 武継, 菊池, 俊之, 市川, 磨, 長田, 剛規, 秦, 雅彦, 小川, 有人, 国井, 泰夫

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The impact of Ge composition on the improvement of the interface trap density at Al2O3/SiGe MOS interface with plasma post-nitridation von Han, Jaehoon, Zhang, Rui, Osada, Takenori, Hata, Masahiko, Takenaka, Mitsuru, Takagi, Shinichi

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5p-PS-16 酸化物超伝導体BaPb_<1-x>Bi_xO_3の静水圧効果 von 長田, 剛規, 作道, 恒太郎

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Ultrathin body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs fabricated by transfer of epitaxial Ge films on III-V substrates von Yu, Xiao, Zhang, Rui, Kang, Jian, Maeda, Tatsuro, Itatani, Taro, Osada, Takenori, Hata, Masahiko, Takenaka, Mitsuru, Takagi, Shinichi

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Fabrication of waveguide InGaAs MSM Photodetector on III-V CMOS Photonics Platform von Cheng, Yongpeng, Ikku, Yuki, Ichikawa, Osamu, Osada, Takenori, Hata, Masahiko, Takenaka, Mitsuru, Takagi, Shinichi

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