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水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In2O3成長層のエッチング特性評価
von
富樫, 理恵
,
笠羽, 遼
,
大江, 優輝
,
長井, 研太
,
後藤, 健
,
熊谷, 義直
,
菊池, 昭彦
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応用物理学会学術講演会講演予稿集
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2
In2O3のハライド気相成長におけるIn原料分子種の影響
von
長井, 研太
,
田中, 那実
,
税本, 雄也
,
富樫, 理恵
,
竹川, 直
,
後藤, 健
,
熊谷, 義直
Veröffentlicht in
応用物理学会学術講演会講演予稿集
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Artikel
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3
c面サファイアoff基板を用いたc-In2O3(111)単結晶のHVPE成長
von
長井, 研太
,
中畑, 秀利
,
小西, 敬太
,
Paskov, Plamen P.
,
Monemar, Bo
,
熊谷, 義直
Veröffentlicht in
応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集
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Schlagworte
合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
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Halide Vapor Phase Epitaxy
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酸化インジウム
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物性評価
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結晶成長
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酸化物半導体
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1
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Bis: