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29pAK-8 遷移金属カルコゲナイドにおけるバレー分極の層数依存性(29pAK 領域7,領域4合同 グラフェン(新物質・原子層),領域7(分子性固体))
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29pAK-10 遷移金属カルコゲナイドを用いた円偏光発光FET(29pAK 領域7,領域4合同 グラフェン(新物質・原子層),領域7(分子性固体))
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26aDK-2 電場を用いた遷移金属カルコゲナイドのバレー分裂制御(グラフェン(新物質・表面界面),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))...
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26aDK-3 結晶多形を用いた遷移金属カルコゲナイドのバレー分極制御(グラフェン(新物質・表面界面),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))...
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27aCG-8 1T-TaS_2超薄膜デバイスの電子相転移制御(27aCG 遷移金属・電界効果,領域8(後半のみ領域7と合同))
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27aCG-8 1T-TaS_2超薄膜デバイスの電子相転移制御(27aCG 領域8,(後半のみ領域7と合同) 遷移金属・電界効果,領域8(強相関系))
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7pAH-13 3R-MoS_2の励起子(7pAH 領域4,領域7合同グラフェン関連(新物質・原子層),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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26pXZE-5 WSe_2を用いた両極性発光トランジスタ(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
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26pXZE-5 WSe_2を用いた両極性発光トランジスタ(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域7(分子性固体・有機導体))
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18pAB-8 帯電基板を用いた電解質ゲルの合成法とその摩擦特性(18pAB 液晶・ゲル,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
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29pAK-9 空間反転対称性の破れた遷移金属カルコゲナイドにおけるスピン分裂バンド構造(29pAK 領域7,領域4合同 グラフェン(新物質・原子層),領域7(分子性固体))...
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