2探針近接場分光技術の開発 von 川上, 養一, 金田, 昭男, 船戸, 充

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近接場光学顕微鏡によるInGaN量子構造の欠陥と光学特性の相関の評価(<特集>窒化物半導体結晶中の欠陥) von 金田, 昭男, 船戸, 充, 川上, 養一

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近接場分光法による窒化物半導体の再結合機構解明 von 川上, 養一, 船戸, 充, 金田, 昭男

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ナノ光励起による窒化物半導体の発光機構解明と制御へのアプローチ von 川上, 養一, 金田, 昭男, 船戸, 充

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選択励起条件下における高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の弱励起時間分解発光測定 von 岩田, 佳也, 金田, 昭男, ライアン, バナル, 船戸, 充, 川上, 養一

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「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」Remarkably Suppressed Luminescence Inhomogeneity in a (0001) InGaN Green Laser Structure von 船戸, 充, 金, 潤碩, 平, 貴之, 金田, 昭男, 川上, 養一, 三好, 隆, 長濱, 慎一

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近接場分光による局在・輻射・非輻射再結合ダイナミクスの評価 von 川上, 養一, 船戸, 充, 金田, 昭男

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共焦点顕微鏡による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸のPLマッピング von 岩田, 佳也, 金田, 昭男, ライアン, バナル, 船戸, 充, 川上, 養一

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InGaN/GaN SQWにおける非輻射再結合のキャリアダイナミクス von 井上, 航平, 金田, 昭男, 船戸, 充, 川上, 養一, 岡本, 晃一

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脱励起光下顕微フォトルミネッセンスによるInGaN/GaN量子井戸のキャリア再結合機構の評価 von 田中, 優也, 金田, 昭男, 船戸, 充, 川上, 養一

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InGaN/GaN量子井戸面内におけるキャリアの伝播・再結合過程の観測 von 西川, 恭平, 金田, 昭男, 船戸, 充, 川上, 養一

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半極性(11\overline{2}2)GaN基板上InGaN単一量子井戸における面内発光分布の近接場光学顕微鏡による評価 von 尾崎, 拓也, 西中, 淳一, 金田, 昭男, 船戸, 充, 川上, 養一

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近接場顕微分光測定によるInGaN量子井戸中のキャリア拡散が効率ドループ現象へ与える影響 von 金田, 昭男, 橋谷, 亨, 船戸, 充, 川上, 養一

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窒化アルミニウムにおける一軸性変形ポテンシャルの同定 von 石井, 良太, 金田, 昭男, 船戸, 充, 川上, 養一

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窒化アルミニウムにおける静水圧変形ポテンシャルの同定 von 石井, 良太, 金田, 昭男, 船戸, 充, 川上, 養一

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InGaN量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの空間時間分解PL評価　−近接場光学顕微鏡によるEfficiency droop機構の解明 von 橋谷, 享, 金田, 昭男, 船戸, 充, 川上, 養一

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一軸性応力下におけるAlN薄膜のPLスペクトル von 石井, 良太, 金田, 昭男, 船戸, 充, 川上, 養一

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緑色発光{20-21}GaN基板上InGaN量子井戸の近接場顕微発光測定 von 金田, 昭男, 金, 潤碩, 船戸, 充, 川上, 養一, 塩谷, 陽平, 京野, 孝史, 上野, 昌紀, 中村, 孝夫

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「講演奨励賞受賞記念講演」ウルツ鉱構造におけるquasicubic近似の破綻 von 石井, 良太, 金田, 昭男, 船戸, 充, 川上, 養一

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Al0.79Ga0.21N/AlN量子井戸のフォトルミネッセンスの時間発展とMott転移付近の発光メカニズムの解析 von 大音, 隆男, 岩田, 佳也, 金田, 昭男, 船戸, 充, 川上, 養一

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