マテリアルズ・インフォマティクスを適用した低熱伝導率Si/Ge積層構造の探索 von 高橋, 憲彦, 劉, 宇, 金田, 千穂子

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マテリアルズ・インフォマティクスを適用した低熱伝導率Si/Ge積層構造の探索 von 高橋, 憲彦, 劉, 宇, 金田, 千穂子

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マテリアルズ・インフォマティクスを適用した低熱伝導率Si/Ge積層構造の探索 von 高橋, 憲彦, 劉, 宇, 金田, 千穂子

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BおよびPをドープしたSi量子ドットの電子状態 ～不純物準位のドーパント位置依存性 von 金田, 千穂子

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低熱伝導率SiGe構造の探索～フォノンモード解析 von 高橋, 憲彦, 金田, 千穂子

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BおよびPをドープしたSi量子ドットの電子状態 von 金田, 千穂子

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22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)... von 金田, 千穂子, 山崎, 隆浩, 高橋, 憲彦

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22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)... von 金田, 千穂子, 山崎, 隆浩, 高橋, 憲彦

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遺伝的アルゴリズムによる低熱伝導率Si/Ge積層構造の探索 von 高橋, 憲彦, 劉, 宇, 橋間, 正芳, 金田, 千穂子

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分子動力学法による低熱伝導率SiGe構造の探索 von 高橋, 憲彦, 金田, 千穂子

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4H-SiC/SiO2界面O2酸化の第一原理シミュレーション ～炭素クラスターの形成と拡散 von 山崎, 隆浩, 田島, 暢夫, 金子, 智昭, 奈良, 純, 清水, 達雄, 加藤, 弘一, 金田, 千穂子, 大野, 隆央

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分子動力学法によるナノ秒オーダーのSiC表面上のグラフェン成長シミュレーション － 6員環の形成 von 高本, 聡, 山崎, 隆浩, 奈良, 純, 大野, 隆央, 金田, 千穂子, 泉, 聡志

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電荷移動型分子動力学法による4H-SiCの熱酸化シミュレーション von 高本, 聡, 山崎, 隆浩, 大野, 隆央, 金田, 千穂子, 泉, 聡志, 酒井, 信介

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電荷移動型分子動力学法により作成したSi/SiO2界面構造の評価 von 高本, 聡, 山崎, 隆浩, 大野, 隆央, 金田, 千穂子, 泉, 聡志, 酒井, 信介

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多結晶Siの弾性的性質～古典分子動力学シミュレーション von 高橋, 憲彦, 金田, 千穂子, 中西, 鉄雄

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磁性を考慮した穴あきグラフェンの安定構造と電子伝導 von 實宝, 秀幸, 大淵, 真理, 金田, 千穂子

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Si酸化過程における界面脱離SiOのSiO2ネットワークへの組み込み障壁 von 高橋, 憲彦, 山崎, 隆浩, 金田, 千穂子

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不規則ナノホールをもつグラフェンの伝導ギャップ von 實宝, 秀幸, 大淵, 真理, 金田, 千穂子

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アモルファスSiO2中の酸素空孔の拡散 von 高橋, 憲彦, 山崎, 隆浩, 金田, 千穂子

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周期ナノホールを持つグラフェンシートの第一原理計算 von 實宝, 秀幸, 大淵, 真理, 金田, 千穂子

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