Effect of increasing gate capacitance on the performance of a p-MoS2/HfS2 van der Waals heterostructure tunneling field-effect transistor von Zhang, Wenlun, Netsu, Seiko, Kanazawa, Toru, Amemiya, Tomohiro, Miyamoto, Yasuyuki

Volltext

Organic membrane photonic integrated circuits (OMPICs) von Amemiya, Tomohiro, Kanazawa, Toru, Hiratani, Takuo, Inoue, Daisuke, Gu, Zhichen, Yamasaki, Satoshi, Urakami, Tatsuhiro, Arai, Shigehisa

Volltext

HSQを用いたInGaAsナノシート構造作製法評価 von 北村, 稔, 金澤, 徹, 宮本, 恭幸

Volltext

Vacuum Annealing and Passivation of HfS2 FET for Mitigation of Atmospheric Degradation von UPADHYAYA, Vikrant, KANAZAWA, Toru, MIYAMOTO, Yasuyuki

Volltext

Performance Improvement of HfS2 Transistors by Atomic Layer Deposition of HfO2 von Kanazawa, Toru, Amemiya, Tomohiro, Upadhyaya, Vikrant, Ishikawa, Atsushi, Tsuruta, Kenji, Tanaka, Takuo, Miyamoto, Yasuyuki

Volltext

Type-II HfS2/MoS2 Heterojunction Transistors von NETSU, Seiko, KANAZAWA, Toru, UWANNO, Teerayut, AMEMIYA, Tomohiro, NAGASHIO, Kosuke, MIYAMOTO, Yasuyuki

Volltext

Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain von Kise, Nobukazu, Kinoshita, Haruki, Yukimachi, Atsushi, Kanazawa, Toru, Miyamoto, Yasuyuki

Volltext

UV-O3表面酸化によるHfS2 MOSFETの性能改善 von 張, 文倫, 金澤, 徹, 北村, 稔, 宮本, 恭幸

Volltext

Permeability-controlled optical modulator with Tri-gate metamaterial: control of permeability on InP-based photonic integration platform von Amemiya, Tomohiro, Ishikawa, Atsushi, Kanazawa, Toru, Kang, JoonHyung, Nishiyama, Nobuhiko, Miyamoto, Yasuyuki, Tanaka, Takuo, Arai, Shigehisa

Volltext

P-Fスタディを用いた診断閾下の自閉スペクトラム症を有する青年・成人のアセスメント von 西藤, 奈菜子, 川端, 康雄, 若林, 暁子, 吉川, 真衣, 金沢, 徹文, 寺嶋, 繁典, 米田, 博

Volltext

Normally-off AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor using digital etching technique von Yamanaka, Ryota, Kanazawa, Toru, Yagyu, Eiji, Miyamoto, Yasuyuki

Volltext

埋め込みNiバックゲートを用いたp-MoS2/HfS2トンネルFET von 張, 文倫, 祢津, 誠晃, 金澤, 徹, 雨宮, 智宏, 宮本, 恭幸

Volltext

HfS2/MoS2 ヘテロジャンクションの温度依存電流特性 von 祢津, 誠晃, 金澤, 徹, 雨宮, 智宏, 宮本, 恭幸

Volltext

InGaAsナノシートトランジスタの作製 von 金澤, 徹, 大澤, 一斗, 雨宮, 智宏, 木瀬, 信和, 青沼, 遼介, 宮本, 恭幸

Volltext

InGaAsナノシートチャネルを持つマルチゲートMOSFETに向けた作製プロセス開発 von 大澤, 一斗, 金澤, 徹, 木瀬, 信和, 雨宮, 智宏, 宮本, 恭幸

Volltext

メタマテリアルフィルムを用いたMWIR迷彩 von 雨宮, 智宏, 山崎, 理司, 増田, 佳祐, 各務, 響, 顧, 之琛, 井上, 大輔, 金澤, 徹, 西山, 伸彦, 浦上, 達宣, 荒井, 滋久

Volltext

HfS2系トンネルトランジスタのデバイスシミュレーション von 金澤, 徹, 雨宮, 智宏, 祢津, 誠晃, Vikrant, Upadhyaya, 福田, 浩一, 宮本, 恭幸

Volltext

Type II 型 HfS2/MoS2ヘテロジャンクションを有するTFET von 祢津, 誠晃, 金澤, 徹, ウパディヤヤ, ヴィクラント, ウワンノー, ティーラユット, 雨宮, 智宏, 長汐, 晃輔, 宮本, 恭幸

Volltext

HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As界面に対する窒素プラズマクリーニング後の水素アニール効果に関する研究 von 祢津, 誠晃, 金澤, 徹, 宮本, 恭幸

Volltext

HfO2パッシベーションによるHfS2 FETの特性改善 von 金澤, 徹, Vikrant, Upadhyaya, 雨宮, 智宏, 石川, 篤, 鶴田, 健二, 田中, 拓男, 宮本, 恭幸

Volltext