Si酸化膜中へのホットダブルSi⁺/C⁺イオン注入法によるSiC量子ドット形成：Si+ドーズ量依存性 von 村川, 洸紀, 金澤, 力斗, 青木, 孝, 鮫島, 俊之, 水野, 智久

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ホット-ダブルSi+/C+イオン注入法を用いた酸化膜中のSiC量子ドットの形成 von 金澤, 力斗, 青木, 孝, 鮫島, 俊之, 水野, 智久

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多結晶SiとアモルファスSi基板へのホットC＋イオン注入法によるSiCナノドットの形成(Ⅱ) :C+ドーズ依存性 von 金澤, 力斗, 青木, 孝, 鮫島, 俊之, 水野, 智久

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多結晶SiとアモルファスSi基板へのホットC＋イオン注入法によるSiCナノドットの形成 von 金澤, 力斗, 青木, 孝, 鮫島, 俊之, 水野, 智久

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多結晶SiへのホットC+イオン注入法によるSiCナノドットの形成 von 金澤, 力斗, 小又, 祐介, 井口, 裕輔, 青木, 孝, 鮫島, 俊之, 水野, 智久

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